- 产品详情
- 在线询价
- 应用领域
设备依托扫频激光干涉检测原理，采用单侧光路照射实现非接触式晶圆全域测厚与平整度检测，无需晶圆双面打光，带夹具固定的晶圆也可直接测量。具备亚纳米级重复测试能力，抗环境温变与震动干扰，无需额外恒温减震平台。支持螺旋、线型两种可切换扫描模式，单晶圆检测最快 30 秒完成，可自动识别晶圆缺口与中心坐标。兼容硅、碳化硅、氮化镓、SOI 多层晶圆等多种基材，软件可输出 SEMI 标准全域、点位、边缘平整度参数，支持两片晶圆厚度差分对比分析，整机体积小巧，适配实验室与产线在线质检场景。
参数详情
测量厚度区间：15μm~1400μm
厚度显示分辨率：0.1nm
重复测量精度：典型≤1nm，最大≤3nm
测量光斑尺寸：30μm
扫描模式：螺旋扫描 / 线型扫描可切换
单片检测时长：0.5~2min
适配晶圆尺寸：最大 12 英寸
工作光源波长：1310nm
功率半导体制造：SiC/GaN 晶圆抛光厚度监测、衬底平整度质检
硅基芯片工艺：重掺硅片、SOI 多层晶圆厚度全域测绘
半导体研磨制程：晶圆双面抛光工艺一致性监控
科研光学计量：半导体薄膜、复合衬底高精度厚度分析
产线在线检测：晶圆来料质检、光刻前平整度筛查